Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска второго поколения микросхем памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, предназначенных для суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и графических ускорителей.
Производитель акцентирует внимание на том, что эта память типа DRAM, получившая собственное название Aquabolt, — самая быстрая на рынке. Говоря конкретнее, новая память Samsung Aquabolt поддерживает скорость 2,4 Гбит/с в расчете на один вывод.
Память Samsung Aquabolt рассчитана на напряжение питания 1,5 В. При этом производитель отмечает, что новые модули примерно на 50% превосходят по производительности микросхемы Samsung HBM2 первого поколения объемом 8 ГБ, с характерным для них показателем 1,6 Гбит/с в расчете на вывод при напряжении питания 1,2 В и 2,0 Гбит/с при напряжении питания 1,35 В.
Производитель также отмечает, что одна микросхема Samsung HBM2 емкостью 8 Гбайт обеспечивает суммарную пропускную способность в 307 ГБ/с (у первого поколения было 256 ГБ/с), что в 9,6 превышает показатель микросхемы GDDR5 объемом 8 Гбит, равный 32 ГБ/с. Используя четыре микросхемы в одной системе можно получить пропускную способность 1,2 ТБайт/с.
Каждая микросхема Samsung HBM2 состоит из восьми кристаллов памяти. Каждый кристалл памяти имеет более 5 000 контактов TSV для межслойного вертикального соединения. Получается, что в одной микросхеме насчитывается более 40 000 соединений.
Среди усовершенствований, которые обеспечили прирост производительности по сравнению с первым поколением, Samsung отмечает улучшения конструкции межсоединений TSV, которые позволили уменьшить искажения сигналов, а также более эффективные механизмы отвода тепла.
Кроме того, сообщается об увеличенном числе термоэлементов между кристаллами и дополнительном защитном нижнем слое, повышающем прочность всех конструкции.
