Вероятно, в перспективе в мобильные телефоны и компьютеры и станут внедрять терабайты озу, а модули памяти в своих размерах не будут превышать пару квадратных см..
Это всё благодаря химикам из университета Райса, которые смогли разработать новый тип памяти RRAM (резистивная память с произвольным доступом, resistive random-access memory), плотность записи в которую при комнатной температуре в 50 раз превышает возможности ОЗУ стандартных устройств.
На данный момент есть более десятка различных вариантов проектирования оперативной памяти. Но создатели RRAM убеждены, что их творение памяти почти по всем параметрам превышает всякие типы резистивной. А потому как в нашей разработке используется один из самых изученных материалов на земле, оксид кремния, то принцип работы ОЗУ очевиден и его просто выполнить на уже существующих линиях производства, — заявил 1-н из создателей научного труда, который был опубликован в журнале Nano Letters: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl501803s.
Основная идея девайсов с использованием RRAM (резистивной памяти) состоит в том, что между двумя контактами применяется диэлектрик, через слой которого при подаче необходимого напряжения, проходит электричество. Отсутствие или присутствие напряжения отвечает значениям 1 или 0.
Испытания продемонстрировали, что диэлектрик можно неоднократно пробивать, поэтому данный материал для создания перезаписываемой оперативной памяти всецело пригодный. Созданные прежде прототипы RRAM планировалось выпустить в продажу спустя пару лет.
Главный элемент новой конструкции RRAM — это новый тип диэлектрика, оксид кремния. Около четырёх лет назад в университете Райса сделали научное открытие, когда разработали способ электропробоя при напряжении менее 2 в. с использованием оксида кремния в качестве слоя диэлектрика. Следовательно, в теории уже есть возможность изготавливать микросхемы, без использования меди или иных дорогостоящих металлов, применяя один лишь кремний.
В конструкции новой оперативной памяти SiOx слой расположен между слоями золота и платины, но это лишь пробный прототип. На производстве, вероятно, возможно будет применение иных материалов. Учёные убеждены, что именно их изобретение предпочтительнее иным подходит для серийного изготовления.
http://news.rice.edu/2014/07/10/rices-silicon-oxide-memories-catch-manufacturers-eye/
