Компания Samsung подготовила к выпуску первый чит памяти V-NAND (Vertical NAND), обладающий ёмкостью 1 Тбит.
Такой чип представляет собой структуру с вертикально размещёнными стеками, что позволяет повысить плотность хранения данных по сравнению с традиционными 2D решениями.
Благодаря использованию данных чипов памяти V-NAND, компания Samsung намерена вывести на рынок новые твердотельные накопители высокой ёмкости.
Так, объединив 16 подобных микросхем в одном корпусе, можно создать накопитель ёмкостью 2 ТБ. Такие SSD смогут более успешно конкурировать с традиционными жёсткими дисками в плане ёмкости, предлагая более высокую производительность.
Анонсированные чипы памяти появятся в составе готовых потребительских устройств уже в следующем году. Они могут применяться в широком перечне продуктов: смартфонах, цифровых камерах, ноутбуках, компьютерах и др.
