Компания Samsung заявила о начале массового производства систем-на-чипе на основе 10-нанометровой FinFET технологии второго поколения – 10LPP (Low Power Plus).
Технология 10LPP позволяет добиться прироста производительности чипов на уровне 10% или снизить энергопотребление на 15% по сравнению 10-нанометровой FinFET технологией первого поколения – 10LPE (Low Power Early).
Отмечается, что так как новая разработка основана на уже обкатанной технологии 10LPE, она имеет конкурентные преимущества, такие как существенно уменьшенное время запуска продуктов (от разработки до массового производства) и более высокая начальная выработка годных чипов.
Системы-на-чипе, изготавливаемые на базе технологии 10LPP, будут использоваться в цифровых устройствах, которые появятся на рынке в начале следующего года и станут широко доступными на протяжении года.
В дальнейшем Samsung продолжит работы над эволюцией 10-нанометрового производственного процесса вплоть до запуска в производство технологии 8LPP.
Компания также заявила, что её новейшая производственная линия S3, расположенная в Южной Корее в городе Хвасон, готова наращивать производство на базе технологических процессов 10 нм и меньше.
Отмечается, что на фабрике S3 будет развёрнуто производство на базе 7-нанометровой технологии FinFET с применением фотолитографии в глубоком ультрафиолете EUV (Extreme Ultra Violet).
