Компания Samsung сообщила о начале массового производства 64-слойных чипов памяти V-NAND (Vertical NAND) ёмкостью 256 Гбит.
Они предназначены для применения в составе накопителей в серверах, потребительских компьютерах и мобильных устройствах. Данные чипы относятся к 4-му поколению V-NAND.
Новые 64-слойные 3-битные чипы флэш-памяти V-NAND ёмкостью 256 Гбит (или 32 ГБ) обеспечивают скорость передачи данных на уровне 1 Гбит/с, что является наиболее высоким показателем для существующих на рынке чипов NAND.
При этом память V-NAND характеризуется наименьшим в отрасли временем страничной записи (tPROG) на уровне 500 мкс, что примерно в 4 раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса. Кроме того, у новых чипов этот показатель в 1,5 раза выше, чем у наиболее производительных 48-слойных 3-битных чипов флэш-памяти Samsung V-NAND ёмкостью 256 Гбит (чипы V-NAND третьего поколения).
Кроме того новые 64-слойные чипы обеспечивают прирост показателя энергоэффективности примерно на 30% по сравнению с 48-слойными предшественниками. Этого удалось добиться благодаря снижению рабочего напряжения с 3,3 В до 2,5 В. В то же время надёжность у новинок на 20% выше, в производительность – на 30% выше, чем у предшественников.
Ожидается, что к концу текущего года компания Samsung намерена увеличить объёмы выпуска 64-слойных чипов V-NAND таким образом, чтобы на их долю приходилось более 50% всего ежемесячного производства NAND памяти.
