Сегодня массово выпускаются 64-слойные микросхемы памяти 3D NAND (лишь SK Hynix делает 72-слойные чипы), но, как сообщалось ранее, к концу этого года ожидается освоение серийного выпуска 96-слойных микросхем, а к 2021 число слоев должно достичь 140.
На недавней пресс-конференции, посвященной итогам очередного квартала, Micron заявила о том, что уже готова начать производство 96-слойной флэш-памяти 3D NAND.
Micron рассчитывает приступить к поставкам 96-слойных чипов во втором полугодии.
Не лишним будет отметить, что подавляющее большинство присутствующих на рынке SSD используют 32-слойные микросхемы и лишь последние топовые модели – 64-слойные.
Увеличение числа слоев до 96 штук, в числе прочего, как ожидается, позволит довести объем одной микросхемы до 256 и даже 512 ГБ. То есть, увеличится плотность чипов, что, в теории, должно привести к снижению удельной стоимости. Кроме того, новые чипы будут энергоэффективнее старых.
Одновременно представители Micron объявили о наращивании выпуска памяти DRAM по технологии 18-нанометрового класса (1x нм), начале поставок памяти DRAM следующего поколения, изготавливаемой по технологии 1Y (15/16 нм), во втором полугодии и разработке техпроцессов, рассчитанного на нормы 1Z и 1α нм.
